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参数资料
| 型号： | FGH60N60SMD |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 60A TO-247 |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 120A |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 19. Current Derating
Figure 20. Load Current Vs. Frequency
T J < 175 C, D = 0.5, V CE = 400V
Tc = 75 C
Tc = 100 C
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
Common Emitter
V GE = 15V
180
160
140
120
100
80
60
40
Square Wave
o
V GE = 15/0V, R G = 3 ?
o
o
20
10
20
Case Temperature, T C [ C]
25
50
75 100 125 150
o
175
0
1k
10k 100k
Switching Frequency, f [Hz]
1M
Figure 21. Forward Characteristics
200
Figure 22. Reverse Current
10000
T C = 175 C
T C = 175 C
T C = 125 C
100
o
1000
100
o
o
T C = 125 C
o
T C = 75 C
T C = 75 C
T C = 25 C
T C = 25 C
10
o
o
o
10
1
o
T C = 75 C ----
o
T C = 125 C ----
T C = 25 C
T C = 175 C
o
o
0.1
o
1
0
1 2 3
Forward Voltage, V F [V]
4
0.01
0
100
200 300 400
Reverse Voltage,V R [V]
500
600
Figure 23. Stored Charge
350
Figure 24. Reverse Recovery Time
100
T C = 25 C
T C = 175 C ----
T C = 25 C
T C = 175 C ----
300
250
o
o
90
80
o
o
70
200
60
150
100
di F /dt = 200A/ ? s
di F /dt = 100A/ ? s
50
40
di F /dt = 200A/ ? s
di F /dt = 100A/ ? s
50
30
0
0
10
20 30 40
50
60
20
0
10
20 30 40
50
60
Forward Current, I F [A]
Forward Current, I F [A]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH60N60SMD Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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