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参数资料
| 型号： | FGL60N100BNTDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH 1000V 60A TO-264 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 25 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.9V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 60A |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
Figure 2. Typical Saturation Voltage Characteristics
100
Common Emitter
20V
90
Common Emitter
80
T C = 25 ℃
15V
10V
9V
8V
80
70
V GE = 15V
T C = 25 ℃ ━━
T C = 125 ℃ ------
T C = 25 ℃
60
40
20
7V
60
50
40
30
20
T C = 125 ℃
0
0
1 2 3 4
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
V GE = 6V
5
10
0
0
1 2 3
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
4
T C = - 40 C
Figure 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Common Emitter
V GE =15V
Figure 4. Saturation Voltage vs. V GE
10
Common Emitter
O
3
80A
60A
8
6
2
30A
4
30A
60A
80A
I C =10A
2
1
-50
0
50
100
150
0
4
8
I C =10A
12
16
20
Case Temperature, T C [ ℃ ]
Figure 5. Saturation Voltage vs. V GE
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
Figure 6. Saturation Voltage vs. V GE
10
8
6
4
30A
60A
80A
Common Emitter
T C = 25 ℃
10
8
6
4
30A
60A
80A
Common Emitter
T C = 125 ℃
2
I C = 10A
2
I C = 10A
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FGL60N100BNTD Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FGL60N170DTU | 功能描述:IGBT 晶体管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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