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参数资料
| 型号： | FGL60N100BNTDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH 1000V 60A TO-264 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 25 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.9V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 60A |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 7. Capacitance Characteristics
Figure 8. Switching Loss vs. Gate Resistance
10000
T C =25 C
10000
Cies
V CC =600V, I C =60A
V GE =? 5V
o
Tdoff
1000
1000
Tr
Tdon
Tf
Coes
100
Common Emitter
V GE = 0V, f = 1MHz
T C = 25 ℃
Cres
100
0
5
10 15 20
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
25
30
10
0
50
100 150
Gate Resistance, R G [? ]
200
Figure 9. Switching Characteristics vs.
Collector Current
Figure 10. Gate Charge Characteristics
1000
V CC =600V, Rg=51 ?
V GE =± 15V, T C =25 ℃
20
Common Emitter
V CC =600V, R L =10 ?
T C =25 ℃
15
Tdoff
Tf
Tr
10
100
Tdon
5
0
10
20
30
40
50
60
0
50
100
150
200
250
300
Collector Current, I C [A]
Figure 11. SOA Characteristics
Gate Charge, Q g [nC]
Figure 12. Forward Characteristics
100
100
I C MAX. (Pulsed)
I C MAX. (Continuous)
50us
10
DC Operation
1ms
100us
10
T C = 100 ℃
T C = 25 ℃
1
0.1
Single Nonrepetitive Pulse
T C = 25 ℃
Curve must be darated
linearly with increase
in temperature
1
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Forward Voltage, V FM [V]
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FGL60N100BNTD Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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