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参数资料
| 型号： | FGL60N100BNTDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH 1000V 60A TO-264 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 25 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.9V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 60A |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 13. Reverse Recovery Characteristics
vs. di/dt
Figure 14. Reverse Recovery Characteristics
vs. Forward Current
1.19
1.02
0.85
I F =60A
T C =25?
119
102
85
1 .2
1 .0
t rr
d i/d t= -2 0 A /u s
T C =25 ?
12
10
0.68
t rr
68
0.51
0.34
0.17
I rr
51
34
17
0 .8
0 .6
I rr
8
6
0 .4
4
0.00
0
0
40
80
120
160
200
240
10
20
30
40
50
60
di/dt [A/us]
Figure 15. Reverse Current vs. Reverse Voltage
F o rw a rd C urre nt, I F [A ]
Figure 16. Junction Capacitance
1000
250
T C = 25 ℃
100
T C = 150 ℃
200
10
150
1
0.1
100
0.01
T C = 25 ℃
50
1E-3
0
300
600
900
0
0.1
1
10
100
Reverse Voltage, V R [V]
Reverse Voltage, V R [V]
Figure 17.Transient Thermal Impedance of IGBT
1 0
1
0 .5
0 .2
0 .1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
P DM
0 .0 1
1 E -3
0 .0 1
s in g le
p u ls e
t 1
t 2
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
R e c ta n g u la r P u ls e
D u r a t io n
[s e c ]
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FGL60N100BNTD Rev. C2
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGP10N60UNDF | IGBT N-CH 600V 20A TO-220-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FGL60N170DTU | 功能描述:IGBT 晶体管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGLD12SR6040A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:4.5-14.4Vdc Input, 40A, 0.45-2.0Vdc Output |
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