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参数资料
| 型号： | FGPF4533 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT PDP 330V TO-220-3FP |
| 标准包装： | 50 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 330V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.8V @ 15V，50A |
| 功率 - 最大： | 28.4W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
November 2013
FGPF4533
330 V PDP Trench IGBT
Features
? High Current Capability
? Low Saturation Voltage: V CE (sat) = 1.55 V @ IC = 50 A
? High Input Impedance
? Fast Switching
? RoHS Compliant
Applications
General Description
Using novel trench IGBT technology, Fairchild’s new series of
trench IGBTs offer the optimum performance for consumer
appliances, PDP TV and lighting applications where low con-
duction and switching losses are essential.
?
PDP TV, Consumer Appliances, Lighting
G C E
TO-220F
(Retractable)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V CES
V GES
Description
Collector to Emitter Voltage
Gate to Emitter Voltage
Ratings
330
? 30
Unit
V
V
I C pulse(1)*
P D
Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
@ T C = 25 o C
@ T C = 25 o C
@ T C = 100 o C
200
28.4
11.4
A
W
W
T J
T stg
T L
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for soldering
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
-55 to +150
-55 to +150
300
o
o
o
C
C
C
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
R ? JC (IGBT)
R ? JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
-
-
4.4
62.5
o
o
C / W
C / W
Notes:
(1) Half Sine Wave, D < 0.01, pluse width < 5 ? sec
* Ic_pluse limited by max Tj
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGPF4533 Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGPF4536 | IGBT PDP 360V TO-220-3FP |
| FGPF4633TU | IGBT PDP 330V 300A TO-220F |
| FGPF50N33BTTU | IGBT PDP 120A 330V TO-220F |
| FGY75N60SMD | IGBT 600V 150A 750W POWER-247 |
| FLD00030 | IC AMBIENT LIGHT SENSOR 2-PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGPF4536 | 功能描述:IGBT 晶体管 360V 50A 4TH GEN PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF45N45T | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:450V, 45A PDP Trench IGBT |
| FGPF45N45TTU | 功能描述:IGBT 晶体管 450V 45A PDP Trench RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF4633 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:330V PDP IGBT |
| FGPF4633RDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-ch / 70A 330V 4G PDP Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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