参数资料
型号: FGPF4533
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 3/8页
文件大小: 0K
描述: IGBT PDP 330V TO-220-3FP
标准包装: 50
IGBT 类型: 沟道
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 330V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 1.8V @ 15V,50A
功率 - 最大: 28.4W
输入类型: 标准
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220F
包装: 管件
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
Figure 2. Typical Output Characteristics
T C = 25 C
T C = 125 C
200
o
20V
15V
12V
10V
200
o
20V
15V
12V
10V
150
V GE = 8V
150
100
50
100
50
V GE = 8V
0
0
1 2 3 4 5
6
0
0
1 2 3 4 5
6
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
200
Common Emitter
V GE = 15V
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 4. Transfer Characteristics
200
Common Emitter
V CE = 10V
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
150
100
50
o
o
150
100
50
o
o
0
0
1 2 3 4
5
0
0
2
4 6 8 10
12
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 5. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
1.7
Gate-Emitter Voltage,V GE [V]
Figure 6. Saturation Voltage vs. V GE
20
T C = 25 C
1.6
1.5
1.4
Common Emitter
V GE = 15V
50A
16
12
50A
Common Emitter
o
1.3
1.2
1.1
30A
I C = 20A
8
4
30A
I C = 20A
Case Temperature, T C [ C]
1.0
0
20
40 60 80 100 120
o
140
0
0
4 8 12 16
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
20
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGPF4533 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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