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参数资料
| 型号： | FGPF4533 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT PDP 330V TO-220-3FP |
| 标准包装： | 50 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 330V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.8V @ 15V，50A |
| 功率 - 最大： | 28.4W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Package Dimensions
Figure 19. TO-220F 3L - TO220, MOLDED, 3LD, FULL PACK, EIAJ SC91, STRAIGHT LEAD
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?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGPF4533 Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGPF4536 | IGBT PDP 360V TO-220-3FP |
| FGPF4633TU | IGBT PDP 330V 300A TO-220F |
| FGPF50N33BTTU | IGBT PDP 120A 330V TO-220F |
| FGY75N60SMD | IGBT 600V 150A 750W POWER-247 |
| FLD00030 | IC AMBIENT LIGHT SENSOR 2-PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGPF4536 | 功能描述:IGBT 晶体管 360V 50A 4TH GEN PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF45N45T | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:450V, 45A PDP Trench IGBT |
| FGPF45N45TTU | 功能描述:IGBT 晶体管 450V 45A PDP Trench RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF4633 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:330V PDP IGBT |
| FGPF4633RDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-ch / 70A 330V 4G PDP Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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