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参数资料
| 型号： | FGP5N60LS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 10A 83W TO220 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-220 Package |
| 标准包装： | 400 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3.2V @ 12V，14A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 10A |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
November 2013
FGP5N60LS
600 V, 5 A Field Stop IGBT
Features
? High Current Capability
? Low Saturation Voltage: V CE(sat) =1.7 V @ I C = 5 A
? High Input Impedance
General Description
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of
field stop IGBTs offer the optimum performance for HID ballast
where low conduction losses are essential.
? RoHS Compliant
Applications
? HID Ballast
C
G C E
TO-220
G
E
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V CES
V GES
Description
Collector to Emitter Voltage
Gate to Emitter Voltage
Ratings
600
? 20
Unit
V
V
@ T C = 25 C
@ T C = 25 C
@ T C = 100 C
I C
I CM (1)
P D
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
@ T C = 25 o C
@ T C = 100 o C
o
o
o
10
5
36
83
33
A
A
A
W
W
T J
T stg
T L
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for soldering
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
-55 to +150
-55 to +150
300
o
o
o
C
C
C
Notes:
1: Repetitive test , Pulse width = 100 usec , Duty = 0.2, V GE = 13.5 V
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
R ? JC
R ? JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
-
-
1.5
62.5
o
o
C / W
C / W
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGP5N60LS Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGP5N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 5A Field Stop IGBT |
| FGP5N60UFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V, 5A Field Stop RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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| FGP7N60RUFD_0610 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 7A RUF IGBT CO-PAK |
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