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参数资料
| 型号： | FGP5N60LS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 10A 83W TO220 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-220 Package |
| 标准包装： | 400 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3.2V @ 12V，14A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 10A |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
Figure 2. Typical Output Characteristics
T C = 25 C
T C = 125 C
40
o
20V
17V
12V
40
o
20V
17V
13.5V
15V
15V
30
13.5V
30
12V
10V
20
20
10V
10
V GE = 8V
10
V GE = 8V
0
0
2 4 6 8
10
0
0
2 4 6 8
10
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
40
Common Emitter
V GE = 15V
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 4. Transfer Characteristics
30
Common Emitter
V CE = 20V
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
30
o
o
20
o
o
20
10
10
0
0
1 2 3 4 5
6
0
2
4 6 8 10
12
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 5. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Gate-Emitter Voltage,V GE [V]
Figure 6. Saturation Voltage vs. V GE
T C = -40 C
3.0
2.5
Common Emitter
V GE = 15V
20
16
Common Emitter
o
10A
12
2.0
5A
8
1.5
I C = 2.5A
4
5A
I C = 2.5A
10A
Case Temperature, T C [ C]
1.0
25
50 75 100
o
125
0
0
4 8 12 16
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
20
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGP5N60LS Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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