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参数资料
| 型号： | FGP5N60LS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 10A 83W TO220 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-220 Package |
| 标准包装： | 400 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3.2V @ 12V，14A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 10A |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 13. Turn-off Characteristics vs.
?????????? Gate Resistance ??????????????????????????????????
300
Figure 14. Turn-on Characteristics vs.
Collector Current
10
t f
t d(on)
100
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
t d(off)
Common Emitter
V CC = 400V, V GE = 15V
I C = 5A
o
o
1
t r
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 10 ?
o
o
10
0
10
20
30
40
50
0.1
2
4
6
8
10
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
Gate Resistance, R G [ ? ]
Figure 15. Turn-off Characteristics vs.
Collector Current
800
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 10 ?
o
o
Collector Current, I C [A]
Figure 16. Switching Loss vs. Gate Resistance
1000
Common Emitter
V CC = 400V, V GE = 15V
I C = 5A
o
T C = 125 C
100
t f
t d(off)
100
o
E off
E on
20
2
4
6
8
10
30
0
10
20
30
40
50
Collector Current, I C [A]
Figure 17. Switching Loss vs. Collector Current
??????????????????????????????????????????????????????????????
1000
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 10 ?
Gate Resistance, R G [ ? ]
? Figure 18. Turn off Switching SOA
Characteristics
50
T C = 25 C
T C = 125 C
100
o
o
E off
E on
10
1
Safe Operating Area
V GE = 13.5V, T C = 125 C
10
2
4
6
8
10
0.1
1
10
o
100
1000
Collector Current, I C [A]
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGP5N60LS Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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