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参数资料
| 型号： | FGPF4633TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT PDP 330V 300A TO-220F |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-220F Package |
| 标准包装： | 50 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 330V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.8V @ 15V，70A |
| 功率 - 最大： | 30.5W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
300
Figure 2. Typical Output Characteristics
300
T C = 25 C
T C = 125 C
250
o
15V
12V
250
o
20V
15V
200
20V
200
12V
150
10V
150
10V
100
50
V GE = 8V
100
50
V GE = 8V
0
0
1 2 3 4 5 6
7
0
0
1 2 3 4 5 6
7
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
300
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 4. Transfer Characteristics
300
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
250
200
150
100
50
Common Emitter
V GE = 15V
o
o
250
200
150
100
50
Common Emitter
V CE = 20V
o
o
0
0
1 2 3 4 5
6
0
2
4
6 8 10 12
14
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 5. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Gate-Emitter Voltage,V GE [V]
Figure 6. Saturation Voltage vs. V GE
T C = 25 C
1.8
1.6
Common Emitter
V GE = 15V
20
16
Common Emitter
o
70A
1.4
12
70A
1.2
1.0
40A
I C = 20A
8
4
40A
I C = 20A
Case Temperature, T C [ C]
0.8
-55
-30
0 30 60 90 120
o
150
0
0
4 8 12 16
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
20
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGPF4633 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGPF50N33BTTU | IGBT PDP 120A 330V TO-220F |
| FGY75N60SMD | IGBT 600V 150A 750W POWER-247 |
| FLD00030 | IC AMBIENT LIGHT SENSOR 2-PLCC |
| FLS-2182-26-12.00-.30-RED | LAMP FLYING 5MM 26AWG 12"LD RED |
| FM200TU-07A | MOSFET MOD 6PAC HP 75V 100A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGPF50N30T | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V, 50A PDP IGBT |
| FGPF50N30TTU | 功能描述:IGBT 晶体管 300V 50A PDP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF50N33BT | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:330V, 50A PDP IGBT |
| FGPF50N33BTJDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FGPF50N33BTRDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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