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参数资料
| 型号： | FGPF4633TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT PDP 330V 300A TO-220F |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-220F Package |
| 标准包装： | 50 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 330V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.8V @ 15V，70A |
| 功率 - 最大： | 30.5W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 7. Saturation Voltage vs. V GE
20
Common Emitter
Figure 8. Capacitance Characteristics
3000
Common Emitter
T C = 125 C
T C = 25 C
16
12
8
4
40A
70A
o
2000
1000
V GE = 0V, f = 1MHz
o
C ies
C oes
I C = 20A
C res
0
0
4 8 12 16
20
0
0.1
1 10
30
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
Figure 9. Gate charge Characteristics
15
Common Emitter
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 10. SOA Characteristics
500
T C = 25 C
12
o
100
10 ? s
100 ? s
9
V CC = 100V
10
1ms
10 ms
200V
6
3
1
0.1
Single Nonrepetitive
Pulse TC = 25oC
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
DC
0
0
15
30 45
60
0.01
0.1
1 10 100
500
Gate Charge, Q g [nC]
Figure 11. Turn-on Characteristics vs.
Gate Resistance
70
t r
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 12. Turn-off Characteristics vs.
Gate Resistance
500
t d(off)
t f
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
10
6
0
10
t d(on)
20
Common Emitter
V CC = 200V, V GE = 15V
I C = 20A
o
o
30 40
50
100
40
0
10
20
Common Emitter
V CC = 200V, V GE = 15V
I C = 20A
o
o
30 40
50
Gate Resistance, R G [ ? ]
Gate Resistance, R G [ ? ]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGPF4633 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGPF50N33BTTU | IGBT PDP 120A 330V TO-220F |
| FGY75N60SMD | IGBT 600V 150A 750W POWER-247 |
| FLD00030 | IC AMBIENT LIGHT SENSOR 2-PLCC |
| FLS-2182-26-12.00-.30-RED | LAMP FLYING 5MM 26AWG 12"LD RED |
| FM200TU-07A | MOSFET MOD 6PAC HP 75V 100A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGPF50N30T | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V, 50A PDP IGBT |
| FGPF50N30TTU | 功能描述:IGBT 晶体管 300V 50A PDP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF50N33BT | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:330V, 50A PDP IGBT |
| FGPF50N33BTJDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FGPF50N33BTRDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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