参数资料
型号: FGPF4633TU
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: IGBT PDP 330V 300A TO-220F
产品目录绘图: IGBT TO-220F Package
标准包装: 50
IGBT 类型: 沟道
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 330V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 1.8V @ 15V,70A
功率 - 最大: 30.5W
输入类型: 标准
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220F
包装: 管件
产品目录页面: 1610 (CN2011-ZH PDF)
Typical Performance Characteristics
Figure 18.Transient Thermal Impedance of IGBT
5
0.5
1
0.2
0.1
0.05
P DM
0.1
0.02
0.01
t 1
t 2
Duty Factor, D = t1/t2
0.01
0.006
single pulse
Peak T j = Pdm x Zthjc + T C
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGPF4633 Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FGPF50N30T 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V, 50A PDP IGBT
FGPF50N30TTU 功能描述:IGBT 晶体管 300V 50A PDP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGPF50N33BT 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:330V, 50A PDP IGBT
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