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参数资料
| 型号： | FQA8N100C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.45 欧姆 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3220pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 225W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQA8N100C-ND FQA8N100CFS |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FQA8N100C
Top Mark
FQA8N100C
Package
TO- 3PN
Packing Method
Tube
Reel Size
N/A
Tape Width
N/A
Quantity
30 units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted .
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max. Unit
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
/ ? T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
V DS = 1000V, V GS = 0V
V DS = 800V, T C = 125 ° C
V GS = 30V, V DS = 0V
V GS = -30V, V DS = 0V
1000
--
--
--
--
--
--
1.4
--
--
--
--
--
--
10
100
100
-100
V
V/ ° C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
R DS(on)
g FS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source
On-Resistance
Forward Transconductance
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 10V, I D = 4A
V DS = 50V, I D = 4A
3.0
--
--
--
1.2
8.0
5.0
1.45
--
V
?
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25V, V GS = 0V,
f = 1.0MHz
--
--
--
2475
195
16
3220
255
24
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = 500V, I D = 8A
R G = 25 ?
V DS = 800V, I D = 8A
V GS = 10V
(Note 4)
(Note 4)
--
--
--
--
--
--
--
50
95
122
80
53
13
23
110
200
254
170
70
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
I SM
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
--
--
8
32
A
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0V, I S = 8A
V GS = 0V, I S = 8A
dI F /dt =100A/ μ s
--
--
--
--
620
5.2
1.4
--
--
V
ns
μ C
NOTES:
1. Repetitive r ating: p ulse - width limited by maximum junction temperature .
2. L = 25 mH, I AS = 8 A, V DD = 50 V, R G = 25 Ω , s tarting T J = 25 ° C .
3. I SD ≤ 8 A, di/dt ≤ 200 A/ μ s, V DD ≤ BV DSS , s tarting T J = 25 ° C .
4. Essentially i ndependent of o perating t emperature t ypical c haracteristics .
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA8N 1 00C Rev C1
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| FQA8N80C | 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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