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参数资料
| 型号： | FQA8N100C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.45 欧姆 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3220pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 225W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQA8N100C-ND FQA8N100CFS |
Mechanical Dimensions
Figure 16. TO3PN, 3-Lead, Plastic, EIAJ SC-65
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?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA8N 1 00C Rev C1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQA8N90C_F109 | MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P |
| FQA90N08 | MOSFET N-CH 80V 90A TO-3P |
| FQA90N15_F109 | MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P |
| FQA9N90_F109 | MOSFET N-CH 900V 8.6A TO-3P |
| FQA9N90C_F109 | MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQA8N80 | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA8N80_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
| FQA8N80_F109 | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA8N80C | 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA8N80C_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
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