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参数资料
| 型号： | GA1A2S100SS |
| 厂商： | Sharp Microelectronics |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | LIGHT DETECTOR OPIC 555NM |
| 标准包装： | 2,000 |
| 带接近传感器： | 无 |
| 波长： | 555nm |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 输出类型： | 电流 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 径向 - 3 引线，成形 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | 425-2778 425-2778-2 425-2778-2-ND GA1A2S100SS-ND |
GA1A2S100SS/GA1A2S100LY
■ Detector Shape
Detector
chip
Center of light detection
(PDB center)
PDA
center
328
328
PDC
center
NOTE: Unit: μm
■ Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Supply voltage
Output current
Operating temperature
Storage temperature
Soldering temperature *1
Symbol
V CC
I O
Topr
Tstg
Tsol
Rating
-0.3 to +7.0
5
-40 to + 8 5
-40 to + 8 5
260
Unit
V
mA
°C
°C
°C
* 1 Within 5 s (MAX.), no closer than 1.4 mm from edge.
■ Recommended Operating Conditions
(Ta = 0°C to 70°C)
Parameter
Operating Supply V oltage
Output V oltage
Illuminance Range
Symbol
V CC
V OUT
E V
MIN.
2.7
0
10
MAX.
3.6
V CC – 1.0
10000
Unit
V
V
lx
Sheet No.: D1-A00501EN
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GF570 | LAMP INCANDESCENT |
| GL100MN0MP1 | EMITTER IR 940NM GP 3.0MW SMD |
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| GL100MN3MP1 | EMITTER IR 940NM HP 6.0MW SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GA1A-3 | 制造商:SAE Power 功能描述: |
| GA1A3Q | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR |
| GA1A4M | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR |
| GA1A4M-T1 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR |
| GA1A4M-T1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R |
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