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参数资料
| 型号： | GA1A2S100SS |
| 厂商： | Sharp Microelectronics |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | LIGHT DETECTOR OPIC 555NM |
| 标准包装： | 2,000 |
| 带接近传感器： | 无 |
| 波长： | 555nm |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 输出类型： | 电流 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 径向 - 3 引线，成形 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | 425-2778 425-2778-2 425-2778-2-ND GA1A2S100SS-ND |
GA1A2S100SS/GA1A2S100LY
■ Electro-optical Characteristics
(Ta = 25°C, V CC = 3.3 V )
Parameter
Supply current
Output current *1
Symbol
I CC
I O 1
I O 2
I O 3
E V = 1000 lx
E V = 1000 lx
E V = 100 lx
E V = 10 lx
Condition
Min.
325
312
31.2
3.12
Typ.
500
4 8 0
4 8
4. 8
Max.
675
64 8
64. 8
6.4 8
Unit
μ A
μ A
μ A
μ A
Output current
temperature coefficient *2
I O 4
E V = 0 lx
E V = 1000 lx
Ta = -20°C to +60°C
—
-10
—
—
1
+10
μ A
%
Peak sensitivity
λ P
—
555
—
nm
tr1
E V = 10 to 100 lx, R L = 1 k Ω
—
—
10
ms
Rise time (10% to 90%)*2
Fall time (10% to 90%)*2
tr2
tr3
tf1
tf2
tf3
E V = 100 to 1000 lx, R L = 1 k Ω
E V = 1000 to 10000 lx, R L = 100 k Ω
E V = 10 to 100 lx, R L = 1 k Ω
E V = 100 to 1000 lx, R L = 1 k Ω
E V = 1000 to 10000 lx, R L = 100 Ω
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
500
10
1
250
ms
μ s
ms
ms
μ s
* 1 2 Illuminance is white LED. standard light source A (tungsten lamp).
Ev = Illuminance by CIE
*
Fig. 1 Output Current Characteristics (Typ.)
10000
1000
100
10
1
1
10
100
1000
10000
100000
Ill u minance E V (lx)
Sheet No.: D1-A00501EN
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GF570 | LAMP INCANDESCENT |
| GL100MN0MP1 | EMITTER IR 940NM GP 3.0MW SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GA1A-3 | 制造商:SAE Power 功能描述: |
| GA1A3Q | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR |
| GA1A4M | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR |
| GA1A4M-T1 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR |
| GA1A4M-T1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R |
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