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参数资料
| 型号： | GWM160-0055P3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FULL BRIDGE 3PH W/MOSF ISODIL |
| 标准包装： | 20 |
| FET 型： | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS-DIL? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS-DIL? |
| 包装： | 管件 |
GWM 160-0055P3
Source-Drain Diode
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V SD
t rr
Q RM
I RM
(diode) I F = 00 A; V GS = 0 V
I F = 00 A; -di F /dt = 800 A/μs; V R = 24 V
0.9
60
0,65
20
.2
V
ns
μC
A
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
I RMS
per pin in main current paths (P+, N-, L , L2, L3)
300
A
may be additionally limited by external connections
T J
T stg
-40...+ 75
-55...+ 25
°C
°C
V ISOL
F C
I ISOL < mA, 50/60 Hz, f = minute
mounting force with clip
000
50 - 250
V~
N
Symbol
Conditions
Characteristic Values
R pin to chip 1)
min.
typ.
0.6
max.
m W
C P
coupling capacity between shorted
60
pF
pins and mounting tab in the case
Weight
)
V DS = I D · (R DS(on) + 2R Pin to Chip )
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2006 IXYS All rights reserved
25
g
2-6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GWM160-0055X1-SMD SAM | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD |
| GWM70-01P2 | IC FULL BRIDGE 3PH W/MOSF ISODIL |
| HAIS 50-P | SENSOR CURRENT 50A 5V MOD |
| HAL 500-S | CURRENT TRANSDUCERS 500A 15V |
| HAL 600-S | SENSOR CURR 600A 3000V MOD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GWM160-0055P3-SMD | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:GWM160 Series 55 Vds 2 Mohm 1.2 kW 160 A 3 Phase Full Bridge w/ Trench MOSFET |
| GWM160-0055X1 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package |
| GWM160-0055X1-SL | 功能描述:MOSFET 160 Amps 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| GWM160-0055X1-SL SAM | 功能描述:分立半导体模块 160 Amps 55V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| GWM160-0055X1-SLSAM | 功能描述:MOSFET 3 Phase Full Bridge RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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