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参数资料
| 型号： | GWM160-0055P3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FULL BRIDGE 3PH W/MOSF ISODIL |
| 标准包装： | 20 |
| FET 型： | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS-DIL? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS-DIL? |
| 包装： | 管件 |
GWM 160-0055P3
14
200
12
10
8
6
4
2
0
I D = 160 A
T J = 25°C
V DS = 12 V
V DS = 40 V
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
0
25
50
75
100
125
150
175
Q G [nC]
Fig.7 Gate charge characteristic
T C [°C]
Fig. 8 Drain current I D vs. case temperature T C
0.20
V DS = 24 V
200
1.0
V DS = 24 V
1000
0.16
V GS = +10/0 V
R G = 39
T J = 125°C
t r
160
0.8
V GS = +10/0 V
R G = 39
T J = 125°C
800
0.12
120
0.6
600
t d(on)
0.08
80
0.4
t d(off)
400
0.04
E on
E rec(off)
40
0.2
E off
t f
200
0.00
0
0.0
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
I D [A]
Fig. 9 Typ. turn-on energy & switching times
vs. collector current, inductive switching
I D [A]
Fig. 0 Typ. turn-off energy & switching times
vs. collector current, inductive switching
0.75
350
2.0
1600
0.60
0.45
V DS = 24 V
V GS = +10/0 V
I D = 160 A
T J = 125°C
t r
t d(on)
280
210
1.8
1.6
1.4
1.2
V DS = 24 V
V GS = +10/0 V
I D = 160 A
T J = 125°C
t d(off)
1440
1280
1120
960
0.30
140
1.0
0.8
E off
800
640
0.6
480
0.15
0.00
E rec(off)
E on
70
0
0.4
0.2
0.0
t f
320
160
0
0
20
40
60
80
100
120
0
20
40
60
80
100
120
R G [ ]
R G [ ]
Fig. Typ. turn-on energy & switching times
vs. gate resistor, inductive switching
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2006 IXYS All rights reserved
Fig. 2
Typ. turn-off energy & switching times
vs. gate resistor, inductive switching
5-6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GWM160-0055X1-SMD SAM | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD |
| GWM70-01P2 | IC FULL BRIDGE 3PH W/MOSF ISODIL |
| HAIS 50-P | SENSOR CURRENT 50A 5V MOD |
| HAL 500-S | CURRENT TRANSDUCERS 500A 15V |
| HAL 600-S | SENSOR CURR 600A 3000V MOD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| GWM160-0055X1-SL SAM | 功能描述:分立半导体模块 160 Amps 55V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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