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参数资料
| 型号： | GWM160-0055P3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FULL BRIDGE 3PH W/MOSF ISODIL |
| 标准包装： | 20 |
| FET 型： | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS-DIL? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS-DIL? |
| 包装： | 管件 |
GWM 160-0055P3
70
60
50
160 A
100 A
30
25
20
100 A
160 A
I F = 50 A
V R = 24 V
T J = 125°C
15
I F = 50 A
V R = 24 V
T J = 125°C
40
10
400
500
600
700
800
900 1000 1100
400
500
600
700
800
900 1000 1100
-di F /dt [A/μs]
-di F /dt [A/μs]
Fig. 3 Reverse recovery time t rr
Fig. 4
Reverse recovery current I RM
1.0
0.8
of the body diode vs. di/dt
350
300
250
200
of the body diode vs. di/dt
V GS = 0 V
0.6
160 A
150
100 A
T J = -25°C
0.4
I F = 50 A
V R = 24 V
T J = 125°C
100
50
25°C
125°C
150°C
0.2
0
400
500
600
700
800
900 1000 1100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-di F /dt [A/μs]
V SD [V]
Fig. 5
V GS
Reverse recovery charge Q rr
of the body diode vs. di/dt
1.4
1.2
Fig. 6 Source drain diode current I F vs.
source drain voltage V SD (body diode)
0,9 V GS
1.0
V DS
I D
0,1 V GS
t
0.8
0,1 I D
0,9 I D
0,9 I D
0,1 I D
t
0.6
0.4
0.2
t d(on)
t r
t d(off)
t f
0.0
1
10
100
G WM 160-0055P3
1000
10000
Time - Seconds
Fig. 7
Definition of switching times
Fig. 8 Typ. thermal impedance junction to
heatsink Z thJH with heat transfer paste
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2006 IXYS All rights reserved
6-6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GWM160-0055X1-SMD SAM | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD |
| GWM70-01P2 | IC FULL BRIDGE 3PH W/MOSF ISODIL |
| HAIS 50-P | SENSOR CURRENT 50A 5V MOD |
| HAL 500-S | CURRENT TRANSDUCERS 500A 15V |
| HAL 600-S | SENSOR CURR 600A 3000V MOD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GWM160-0055P3-SMD | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:GWM160 Series 55 Vds 2 Mohm 1.2 kW 160 A 3 Phase Full Bridge w/ Trench MOSFET |
| GWM160-0055X1 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package |
| GWM160-0055X1-SL | 功能描述:MOSFET 160 Amps 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| GWM160-0055X1-SL SAM | 功能描述:分立半导体模块 160 Amps 55V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| GWM160-0055X1-SLSAM | 功能描述:MOSFET 3 Phase Full Bridge RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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