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参数资料
| 型号： | GWM160-0055P3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FULL BRIDGE 3PH W/MOSF ISODIL |
| 标准包装： | 20 |
| FET 型： | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS-DIL? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS-DIL? |
| 包装： | 管件 |
GWM 160-0055P3
1.2
350
I DSS = 0.25 mA
300
V DS = 24 V
1.1
250
1.0
0.9
200
150
100
0.8
50
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.7
-25
0
25
50 75
T J [°C]
100
125
150
0
0
2
4
V GS [V]
6
8
Fig. Drain source breakdown voltage V DSS
vs. junction temperature T J
Fig. 2 Typical transfer characteristic
350
300
V GS = 20 V, 15 V
10 V
7V
T J = 25°C
350
300
V GS =
20 V
15 V
10 V
TJ = 125°C
7V
250
200
6.5 V
250
200
6.5 V
150
100
50
0
6V
5.5 V
5V
150
100
50
0
6V
5.5 V
5V
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
V DS [V]
Fig. 3 Typical output characteristic
V DS [V]
Fig. 4 Typical output characteristic
2.5
2.0
V GS = 10 V
I D = 160 A
6.0
4.8
3.0
2.5
5V
5.5 V
6V
6.5 V
T J = 125°C
7V
1.5
R DS(on)
3.6
2.0
1.0
0.5
R DS(on) normalized
2.4
1.2
1.5
1.0
V GS =
10 V
15 V
20 V
0.0
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.5
0
50
100
150
200
250
300
350
T J [°C]
Fig. 5 Drain source on-state resistance R DS(on)
versus junction temperature T J
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2006 IXYS All rights reserved
I D [A]
Fig. 6 Drain source on-state
resistance R DS(on) versus I D
4-6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GWM160-0055X1-SMD SAM | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD |
| GWM70-01P2 | IC FULL BRIDGE 3PH W/MOSF ISODIL |
| HAIS 50-P | SENSOR CURRENT 50A 5V MOD |
| HAL 500-S | CURRENT TRANSDUCERS 500A 15V |
| HAL 600-S | SENSOR CURR 600A 3000V MOD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GWM160-0055P3-SMD | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:GWM160 Series 55 Vds 2 Mohm 1.2 kW 160 A 3 Phase Full Bridge w/ Trench MOSFET |
| GWM160-0055X1 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package |
| GWM160-0055X1-SL | 功能描述:MOSFET 160 Amps 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| GWM160-0055X1-SL SAM | 功能描述:分立半导体模块 160 Amps 55V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| GWM160-0055X1-SLSAM | 功能描述:MOSFET 3 Phase Full Bridge RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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