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参数资料
| 型号： | HB56S864ESN-7 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 64 EDO DRAM MODULE, 70 ns, DMA168 |
| 封装： | DIMM-168 |
| 文件页数： | 12/34页 |
| 文件大小： | 338K |
| 代理商： | HB56S864ESN-7 |
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HB56S872ESN Series, HB56S864ESN Series
2
4,096 refresh cycle: 64 ms
2 variations of refresh
RAS-only refresh
CAS-before-RAS refresh
Ordering Information
Type No.
Access time
Package
Contact pad
HB56S872ESN-6
HB56S872ESN-7
60 ns
70 ns
168-pin dual lead out socket type
Gold
HB56S864ESN-6
HB56S864ESN-7
60 ns
70 ns
Pin Arrangement
1 pin
85 pin
10 pin
94 pin
11 pin
95 pin
40 pin
124 pin
41 pin
125 pin
84 pin
168 pin
Front side
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| HB56S872ES-6B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56S872ES-7B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56S872ES-8B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
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