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参数资料
| 型号： | HB56S864ESN-7 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 64 EDO DRAM MODULE, 70 ns, DMA168 |
| 封装： | DIMM-168 |
| 文件页数： | 7/34页 |
| 文件大小： | 338K |
| 代理商： | HB56S864ESN-7 |
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HB56S872ESN Series, HB56S864ESN Series
15
AC Characteristics (Ta = 0 to 70
°C, V
CC = 5.0 V ±5%, VSS = 0 V) *
1, *2, *18, *19
Test Conditions
Input rise and fall times: 2 ns
Input levels: 0 V, 3.0 V
Input timing reference levels: 0.8 V, 2.4 V
Output timing reference levels: 0.8 V, 2.0 V
Output load: 1 TTL gate + C
L (100 pF) (Including scope and jig)
Read, Write, Read-Modify-Write and Refresh Cycles (Common parameters)
60 ns
70 ns
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Random read or write cycle time
t
RC
104
—
124
—
ns
RAS precharge time
t
RP
40
—
50
—
ns
CAS precharge time
t
CP
10
—
13
—
ns
RAS pulse width
t
RAS
60
10000
70
10000
ns
CAS pulse width
t
CAS
10
10000
13
10000
ns
Row address setup time
t
ASR
0—
ns
Row address hold time
t
RAH
10
—
10
—
ns
Column address setup time
t
ASC
0—
ns
Column address hold time
t
CAH
10
—
13
—
ns
RAS to CAS delay time
t
RCD
14
45
14
52
ns
3
RAS to column address delay time
t
RAD
12
30
12
35
ns
4
RAS hold time
t
RSH
13
—
13
—
ns
CAS hold time
t
CSH
40
—
45
—
ns
CAS to RAS precharge time
t
CRP
5—
ns
OE to Din delay time
t
OED
15
—
18
—
ns
5
OE delay time from Din
t
DZO
0—
ns
6
CAS delay time from Din
t
DZC
0—
ns
6
Transition time (rise and fall)
t
T
2
50
2
50
ns
7
Refresh period
(4,096 cycles)
t
REF
—
64
—
64
ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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