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参数资料
| 型号： | HB56S864ESN-7 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 64 EDO DRAM MODULE, 70 ns, DMA168 |
| 封装： | DIMM-168 |
| 文件页数： | 2/34页 |
| 文件大小： | 338K |
| 代理商： | HB56S864ESN-7 |
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HB56S872ESN Series, HB56S864ESN Series
10
Block Diagram (HB56S864ESN)
WE0
RAS1
CAS0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
I/O
CAS RAS WE OE
D0
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CAS RAS WE OE
D1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
CAS RAS WE OE
D2
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
CAS RAS WE OE
D3
CAS1
RAS0
OE0
I/O
CAS RAS WE OE
D16
I/O
CAS RAS WE OE
D17
I/O
CAS RAS WE OE
D18
I/O
CAS RAS WE OE
D19
I/O
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
CAS RAS WE OE
D4
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
CAS RAS WE OE
D5
CAS2
I/O
CAS RAS WE OE
D20
I/O
CAS RAS WE OE
D21
I/O
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
CAS RAS WE OE
D6
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
CAS RAS WE OE
D7
CAS3
I/O
CAS RAS WE OE
D22
I/O
CAS RAS WE OE
D23
WE2
RAS3
CAS4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
I/O
CAS RAS WE OE
D8
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
CAS RAS WE OE
D9
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
CAS RAS WE OE
D10
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
CAS RAS WE OE
D11
CAS5
RAS2
OE2
I/O
CAS RAS WE OE
D24
I/O
CAS RAS WE OE
D25
I/O
CAS RAS WE OE
D26
I/O
CAS RAS WE OE
D27
I/O
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
CAS RAS WE OE
D12
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
CAS RAS WE OE
D13
CAS6
I/O
CAS RAS WE OE
D28
I/O
CAS RAS WE OE
D29
I/O
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
CAS RAS WE OE
D14
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
CAS RAS WE OE
D15
CAS7
I/O
CAS RAS WE OE
D30
I/O
CAS RAS WE OE
D31
A0-A11
VCC
VSS
D0 to D31
D0 to D31 , U0
U0
D0 to D31 , U0
0.10
F × 16 pcs
0.68
F × 4 pcs
* D0 to D31 : HM5116405
: 24C02
U0
A0
SA0
A1
SA1
A2
SA2
Serial PD
SDA
SCL
Notes)
1.The SDA pull-up resistor is
required due to the open-drain/
open-collecter output.
2.The SCL pull-up resistor is
recommended because of the
normal SCL line inactive
“High” state.
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PDF描述 |
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