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参数资料
| 型号： | HB56S864ESN-7 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 64 EDO DRAM MODULE, 70 ns, DMA168 |
| 封装： | DIMM-168 |
| 文件页数： | 4/34页 |
| 文件大小： | 338K |
| 代理商： | HB56S864ESN-7 |
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HB56S872ESN Series, HB56S864ESN Series
12
DC Characteristics (Ta = 0 to 70
°C, V
CC = 5.0 V ±5%, VSS = 0 V) (HB56S872ESN)
60 ns
70 ns
Parameter
Symbol Min
Max
Min
Max
Unit Test conditions
Notes
Operating current
I
CC1
—
1530 —
1350 mA
t
RC = min
1, 2
Standby current
I
CC2
—
72
—
72
mA
TTL interface
RAS, CAS = V
IH
Dout = High-Z
—
36
—
36
mA
CMOS interface
RAS, CAS
≥ V
CC –0.2 V
Dout = High-Z
RAS-only refresh current
I
CC3
—
1530 —
1350 mA
t
RC = min
2
Standby current
I
CC5
—
180
—
180
mA
RAS = V
IH, CAS = VIL
Dout = enable
1
CAS-before-RAS refresh
current
I
CC6
—
1530 —
1350 mA
t
RC = min
EDO page mode current
I
CC7
—
1350 —
1260 mA
t
HPC = min
1, 3
Input leakage current
I
LI
–10
10
–10
10
A
0 V
≤ Vin ≤ 5.5 V
Output leakage current
I
LO
–10
10
–10
10
A
0 V
≤ Vout ≤ 5.5 V
Dout = disable
Output high voltage
V
OH
2.4
V
CC
2.4
V
CC
V
High Iout = –2 mA
Output low voltage
V
OL
0
0.4
0
0.4
V
Low Iout = 2 mA
Notes: 1. I
CC depends on output load condition when the device is selected, ICC max is specified at the
output open condition.
2. Address can be changed once or less while
RAS = V
IL.
3. Address can be changed once or less while
CAS = V
IH.
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PDF描述 |
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