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参数资料
| 型号： | HB56S864ESN-7 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 64 EDO DRAM MODULE, 70 ns, DMA168 |
| 封装： | DIMM-168 |
| 文件页数： | 3/34页 |
| 文件大小： | 338K |
| 代理商： | HB56S864ESN-7 |
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HB56S872ESN Series, HB56S864ESN Series
11
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Voltage on any pin relative to V
SS.VT
–0.5 to +7.0
V
Supply voltage relative to V
SS
V
CC
–0.5 to +7.0
V
Short circuit output current
Iout
50
mA
Power dissipation (HB56S872ESN)
Pt
36
W
Power dissipation (HB56S864ESN)
Pt
32
W
Operating temperature
Topr
0 to +70
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +125
°C
Recommended DC Operating Conditions (Ta = 0 to 70
°C)
Parameter
Symbol
Min
Type
Max
Unit
Note
Supply voltage
V
SS
000
V
CC
4.75
5.0
5.25
V
1
Input high voltage
V
IH
2.4
—
5.5
V
1
Input low voltage
V
IL
–1.0
—
0.8
V
1
Note:
1. All voltage referred to V
SS.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| HB56S872ES-7B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56S872ES-8B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
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