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参数资料
| 型号： | HB56S864ESN-7 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 64 EDO DRAM MODULE, 70 ns, DMA168 |
| 封装： | DIMM-168 |
| 文件页数： | 9/34页 |
| 文件大小： | 338K |
| 代理商： | HB56S864ESN-7 |
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HB56S872ESN Series, HB56S864ESN Series
17
Read-Modify-Write Cycle
60 ns
70 ns
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Read-modify-write cycle time
t
RWC
135
—
161
—
ns
RAS to WE delay time
t
RWD
79
—
92
—
ns
14
CAS to WE delay time
t
CWD
34
—
40
—
ns
14
Column address to
WE delay time
t
AWD
49
—
57
—
ns
14
OE hold time WE
t
OEH
15
—
18
—
ns
Refresh Cycle
60 ns
70 ns
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
CAS setup time (CBR refresh cycle)
t
CSR
5—
ns
CAS hold time (CBR refresh cycle)
t
CHR
10
—
10
—
ns
WE setup time (CBR refresh cycle)
t
WRP
0—
ns
WE hold time (CBR refresh cycle)
t
WRH
10
—
10
—
ns
RAS precharge to CAS hold time
t
RPC
5—
ns
EDO Page Mode Cycle
60 ns
70 ns
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
EDO page mode cycle time
t
HPC
25
—
30
—
ns
20
EDO page mode
RAS pulse width
t
RASP
—
100000 —
100000 ns
16
Access time from
CAS precharge
t
CPA
—
35
—
40
ns
9, 17
RAS hold time from CAS precharge
t
CPRH
35
—
40
—
ns
Output data hole time from
CAS low
t
DOH
3
—
3
—
ns
9, 17
CAS hold time referred OE
t
COL
10
—
13
—
ns
CAS to OE setup time
t
COP
5—
ns
Read command hold time from
CAS
precharge
t
RCHC
35
—
40
—
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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