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参数资料
| 型号： | HGTD1N120BNS9A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 2,500 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.9V @ 15V，1A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 5.3A |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252AA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
HGTD1N120BNS, HGTP1N120BN
Typical Performance Curves
(Unless Otherwise Speci?ed) (Continued)
350
300
C IES
FREQUENCY = 1MHz
6
5
PULSE DURATION = 250 μ s
DUTY CYCLE < 0.5%, T C = 110 o C
250
4
V GE = 15V
V GE = 12V
200
3
150
100
50
C RES
C OES
2
1
V GE = 10V
0
0
5
10
15
20
25
0
0
2
4
6
8
10
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 15. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 16. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
0.1
0.05
0.02
P D
t 1
t 2
0.01
0.01
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR, D = t 1 / t 2
PEAK T J = (P D X Z θ JC X R θ JC ) + T C
0.005
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
t 1 , RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
FIGURE 17. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Test Circuit and Waveforms
V GE
RHRD4120
L = 4mH
90%
E OFF
10%
E ON2
R G = 82 ?
+
I CE
V CE
90%
10%
I CE
-
V DD = 960V
t fI
t d(ON)I
t rI
t d(OFF)I
FIGURE 18. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FIGURE 19. SWITCHING TEST WAVEFORMS
HGTD1N120BNS, HGTP1N120BN Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HGTD7N60C3S9A | IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-252AA |
| HGTG10N120BND | IGBT N-CH NPT 1200V 35A TO-247 |
| HGTG11N120CND | IGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247 |
| HGTG12N60A4D | IGBT N-CH SMPS 600V 54A TO247 |
| HGTG12N60C3D | IGBT UFS N-CHAN 600V 24A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HGTD1N120CNS | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:6.2A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
| HGTD1N120CNS9A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 6.2A I(C) | TO-252AA |
| HGTD2N120BNS | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:12A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
| HGTD2N120BNS9A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 12A I(C) | TO-252AA |
| HGTD2N120CNS | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
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