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参数资料
| 型号： | HGTD7N60C3S9A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-252AA |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2V @ 15V，7A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 14A |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252AA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
HGTD7N60C3S, HGTP7N60C3
Typical Performance Curves
10 0
0.5
0.2
0.1
(Continued)
10 -1
0.05
0.02
t 1
10 -2
0.01
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR, D = t 1 / t 2
PEAK T J = (P D X Z θ JC X R θ JC ) + T C
P D
t 2
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t 1 , RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
FIGURE 17. IGBT NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION TO CASE
Test Circuit and Waveform
L = 1mH
90%
RHRD660
V GE
10%
R G = 50 ?
V CE
E OFF
E ON
+
-
V DD = 480V
I CE
90%
10%
t d(OFF)I
t rI
t fI
t d(ON)I
FIGURE 18. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FIGURE 19. SWITCHING TEST WAVEFORMS
HGTD7N60C3S, HGTP7N60C3 Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HGTG10N120BND | IGBT N-CH NPT 1200V 35A TO-247 |
| HGTG11N120CND | IGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247 |
| HGTG12N60A4D | IGBT N-CH SMPS 600V 54A TO247 |
| HGTG12N60C3D | IGBT UFS N-CHAN 600V 24A TO-247 |
| HGTG18N120BND | IGBT NPT N-CHAN 1200V 54A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HGTD8P50G1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HGTD8P50G1S | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HGTD8P50GIS | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HGTG10N120BN | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
| HGTG10N120BND | 功能描述:IGBT 晶体管 35A 1200V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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