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参数资料
| 型号： | HGTG20N60B3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT UFS N-CHAN 600V 40A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 40A |
| 功率 - 最大： | 165W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
HGTG20N60B3
Typical Performance Curves
(Continued)
100
T J = 150 o C, R G = 10 ? , L = 100 μ H
500
T J = 150 o C, R G = 10 ? , L = 100 μ H
400
50
40
30
V CE = 480V, V GE = 15V
300
V CE = 480V, V GE = 15V
200
20
10
0
10
20
30
40
100
0
10
20
30
40
I CE , COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 7. TURN-ON DELAY TIME vs COLLECTOR TO
EMITTER CURRENT
I CE , COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 8. TURN-OFF DELAY TIME vs COLLECTOR TO
EMITTER CURRENT
100
T J = 150 o C, R G = 10 ? , L = 100 μ H
1000
T J = 150 o C, R G = 10 ? , L = 100 μ H
V CE = 480V, V GE = 15V
V CE = 480V, V GE = 15V
10
1
100
10
0
10
20
30
40
0
10
20
30
40
I CE , COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9. TURN-ON RISE TIME vs COLLECTOR TO
EMITTER CURRENT
I CE , COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 10. TURN-OFF FALL TIME vs COLLECTOR TO
EMITTER CURRENT
1400
T J = 150 o C, R G = 10 ? , L = 100 μ H
2500
T J = 150 o C, R G = 10 ? , L = 100 μ H
1200
2000
1000
800
600
V CE = 480V, V GE = 15V
1500
1000
V CE = 480V, V GE = 15V
400
500
200
0
0
10
20
30
40
0
0
10
20
30
40
I CE , COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11. TURN-ON ENERGY LOSS vs COLLECTOR TO
EMITTER CURRENT
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
I CE , COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 12. TURN-OFF ENERGY LOSS vs COLLECTOR TO
EMITTER CURRENT
HGTG20N60B3 Rev.B3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HGTG30N60B3 | IGBT UFS N-CHAN 600V 60A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HGTG20N60B3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBTN CH600V40ATO-247 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT,N CH,600V,40A,TO-247 |
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| HGTG20N60B3D | 功能描述:IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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