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参数资料
| 型号： | HGTG20N60B3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT UFS N-CHAN 600V 40A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 40A |
| 功率 - 最大： | 165W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
HGTG20N60B3
Typical Performance Curves
(Continued)
500
T J = 150 o C, T C = 75 o C, V GE = 15V
R G = 10 ? , L = 100 μ H
V CE = 480V
120
100
80
T C = 150 o C, V GE = 15V, R G = 10 ?
100
f MAX1 = 0.05/(t d(OFF)I + t d(ON)I )
f MAX2 = (P D - P C )/(E ON + E OFF )
P D = ALLOWABLE DISSIPATION
P C = CONDUCTION DISSIPATION
(DUTY FACTOR = 50%)
60
40
20
R θ JC
= 0.76 o C/W
10
5
10
20
30
40
0
0
100
200
300
400
500
600
700
I CE , COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13. OPERATING FREQUENCY vs COLLECTOR TO
EMITTER CURRENT
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 14. SWITCHING SAFE OPERATING AREA
10 0
10 -1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10 -2
0.01
t 1
10 -3
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR, D = t 1 / t 2
PEAK T J = (P D X Z θ JC X R θ JC ) + T C
P D
t 2
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t 1 , RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
FIGURE 15. IGBT NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Test Circuit and Waveform
L = 100 μ H
90%
R G = 10 ?
RHRP3060
+
V GE
V CE
90%
E OFF
10%
E ON
-
V DD = 480V
I CE
10%
t d(OFF)I
t fI
t rI
t d(ON)I
FIGURE 16. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FIGURE 17. SWITCHING TEST WAVEFORMS
HGTG20N60B3 Rev.B3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HGTG27N120BN | IGBT NPT N-CH 1200V 72A TO-247 |
| HGTG30N60A4D | IGBT N-CH SMPS 600V 60A TO-247 |
| HGTG30N60A4 | IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO247 |
| HGTG30N60B3D | IGBT N-CH UFS 600V 30A TO-247 |
| HGTG30N60B3 | IGBT UFS N-CHAN 600V 60A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HGTG20N60B3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBTN CH600V40ATO-247 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT,N CH,600V,40A,TO-247 |
| HGTG20N60B3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR |
| HGTG20N60B3_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HGTG20N60B3_Q | 功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| HGTG20N60B3D | 功能描述:IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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