型号: | HGTP3N60A4D_NL |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
中文描述: | 17 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
封装: | LEAD FREE PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/9页 |
文件大小: | 113K |
代理商: | HGTP3N60A4D_NL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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HGTP7N60A4_NL | 600V SMPS Series N-Channel IGBT |
HGXO0A-N-SM5-FREQ,10/40/-/M | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 0.46 MHz - 50 MHz, CMOS OUTPUT |
HGXO2F-N-50.0M,10/40/-/M | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 50 MHz, CMOS OUTPUT |
HGXO2G-N-32.0M,10/40/-/M | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 32 MHz, CMOS OUTPUT |
HGXO3A-N-460.0K,10/10/-/C | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 0.46 MHz, CMOS OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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HGTP3N60B3D | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
HGTP3N60B3R4724 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
HGTP3N60C3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
HGTP3N60C3D | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |