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参数资料
| 型号： | HY5PS1G821M |
| 厂商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| 中文描述： | 1G DDR2内存（铂） |
| 文件页数： | 24/79页 |
| 文件大小： | 1109K |
| 代理商： | HY5PS1G821M |
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Rev. 0.2 / Oct. 2005
24
1
HY5PS12421(L)M
HY5PS12821(L)M
ODT timing mode switch at exiting power down mode
T0
T1
T4
T5
T6
T7
CK
CK
T8
CKE
ODT
Internal
Term Res.
tIS
tAOFPDmax
RTT
tIS
tIS
RTT
T9
T10
T11
ODT
Internal
Term Res.
tAXPD
Active & Standby
mode timings to
be applied.
Power Down
mode timings to
be applied.
Exiting from Slow Active Power Down Mode
or Precharge Power Down Mode.
tAOFD
Internal
Term Res.
tIS
RTT
ODT
Active & Standby
mode timings to
be applied.
tAOND
Internal
Term Res.
RTT
ODT
tAONPDmax
tIS
Power Down
mode timings to
be applied.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5PS1G821M-C4 | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G821M-E3 | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
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| HY5PS1G421LM-E3 | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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