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参数资料
| 型号： | HY5PS1G821M |
| 厂商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| 中文描述： | 1G DDR2内存（铂） |
| 文件页数： | 78/79页 |
| 文件大小： | 1109K |
| 代理商： | HY5PS1G821M |
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Rev. 0.2 / Oct. 2005
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1
HY5PS12421(L)M
HY5PS12821(L)M
application clock period. nWR refers to the t WR parameter stored in the MRS.
Example: For DDR533 at t CK = 3.75 ns with t WR programmed to 4 clocks. tDAL = 4 + (15 ns / 3.75 ns)
clocks =4 +(4)clocks=8clocks.
15. The clock frequency is allowed to change during self–refresh mode or precharge power-down mode. In
case of clock frequency change during precharge power-down, a specific procedure is required as
described in section 2.9.
16. ODT turn on time min is when the device leaves high impedance and ODT resistance begins to turn
on.
ODT turn on time max is when the ODT resistance is fully on. Both are measured from tAOND.
17. ODT turn off time min is when the device starts to turn off ODT resistance.
ODT turn off time max is when the bus is in high impedance. Both are measured from tAOFD.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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