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参数资料
| 型号： | IBM0116165B |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 100万× 16 12 / 8 EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 28/31页 |
| 文件大小： | 553K |
| 代理商： | IBM0116165B |
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IBM0116165
IBM0116165B
1M x 16 12/8 EDO DRAM
IBM0116165M
IBM0116165P
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28H4723
SA14-4225-06
Revised 4/97
PACKAGE DIMENSIONS
(400mil; 50/44 lead; Thin Small Outline Package)
Lead #1
0.80 Basic
0.35
1
20.95
±
0.10
1
-
0.05
+ 0.10
0.125
0.875 REF
Detail A
0.10
Seating Plane
+0.075
-0.005
Detail A
0.25 Basic
Gage Plane
0.5
±
0.1
0.05
1
+0.10
-0.00
1.00
±
0.05
NOTE:
All dimensions are in millimeters
;
Package diagrams are not drawn to scale.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0116165M | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116165P | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116405 | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0116405B | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0116405M | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IBM0116165BJ3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0218 |
| IBM0116405JIE60 | 制造商:IBM 功能描述:53H2588 |
| IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
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