- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378599 > IBM0116165B (IBM Microeletronics) 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IBM0116165B |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 100万× 16 12 / 8 EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 8/31页 |
| 文件大小： | 553K |
| 代理商： | IBM0116165B |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页当前第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页
IBM0116165
IBM0116165B
1M x 16 12/8 EDO DRAM
IBM0116165M
IBM0116165P
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 8 of 31
28H4723
SA14-4225-06
Revised 4/97
Write Cycle
Symbol
Parameter
-50
-60
Units
Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
t
WCS
Write Command Set Up Time
0
—
0
—
ns
1
t
WCH
Write Command Hold Time
7
—
10
—
ns
t
WP
Write Command Pulse Width
7
—
10
—
ns
t
RWL
Write Command to RAS Lead Time
7
—
10
—
ns
t
CWL
Write Command to CAS Lead Time
7
—
10
—
ns
t
OED
OE to D
IN
Delay Time
13
—
15
—
ns
2
t
DS
D
IN
Setup Time
0
—
0
—
ns
3
t
DH
D
IN
Hold Time
7
—
10
—
ns
3
1. t
WCS
, t
RWD
, t
CWD
and t
AWD
are not restrictive operating parameters. They are included in the data sheet as electrical characteristics
only. If t
WCS
≥
t
WCS
(min), the cycle is an early write cycle and the data pin will remain open circuit (high impedance) through the
entire cycle. If t
RWD
≥
t
RWD
(min), t
CWD
≥
t
CWD
(min) and t
AWD
≥
t
AWD
(min), the cycle is a Read-Modify-Write cycle and the data out
will contain data read from the selected cell. If neither of the above sets of conditions are satisfied, the condition of the data out (at
access time) is indeterminate.
2. Either t
CDD
or t
OED
must be satisfied.
3. These parameters are referenced to LCAS or UCAS leading edge in early write cycles and to WE leading edge in Read-Modify-
Write cycles.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0116165M | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116165P | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116405 | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0116405B | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0116405M | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IBM0116165BJ3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0218 |
| IBM0116405JIE60 | 制造商:IBM 功能描述:53H2588 |
| IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。