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参数资料
| 型号： | IBM0116165B |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 100万× 16 12 / 8 EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 3/31页 |
| 文件大小： | 553K |
| 代理商： | IBM0116165B |
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IBM0116165
IBM0116165B IBM0116165P
1M x 16 12/8 EDO DRAM
IBM0116165M
28H4723
SA14-4225-06
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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Block Diagram
12
12
12
8
8
16
16
16
16
16
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
4096
256 x 16
OR
RAS
WE
OE
Vcc
Vss
&
Regulator
(to OCDs)
V
DD
(internal)
CAS Clock
Generator
Column Address
Buffer (8)
A0
Refresh
Controller
Refresh Counter
(12)
Row Address
Buffer (12)
RAS Clock
Generator
R
Column Decoder and I/O Gate
Sense Amplifiers
Memory Array
4096 x 256 x 16
Data In Buffer
Data Out Buffer
(5.0 Volt version)
I/O0
I/O15
UCAS
LCAS
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0116165M | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116165P | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116405 | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0116405B | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0116405M | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
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