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参数资料
| 型号： | IDT70V5388S133BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 27/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 133MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 四端口，同步 |
| 存储容量： | 1.125M（64K x 18） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V5388S133BC8 |
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IDT70V5388/78
3.3V 64/32K x 18 Synchronous FourPort? Static RAM
JTAG Timing Specifications
t TCYC
t TL
TCK
Device Inputs (1) /
TDI/TMS
t TH
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Device Outputs (2) /
t JS
t JH
t JDC
TDO
t JRSR
t JCD
TRST
5649 drw 26
,
t JRST
NOTES:
1. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS, and TRST .
2. Device outputs = All device outputs except TDO.
3. To reset the test (JTAG) port without resetting the device, TMS must be held LOW for 5 cycles, or TRST must be held LOW for one cycle.
27
6.42
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