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参数资料
| 型号： | IDT70V5388S133BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 133MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 四端口，同步 |
| 存储容量： | 1.125M（64K x 18） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V5388S133BC8 |
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IDT70V5388/78
3.3V 64/32K x 18 Synchronous FourPort? Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Address Counter and Counter-Mask Control Operational Table
(Any Port) (1,2)
CLK
X
↑
↑
↑
MRST
L
H
H
H
CNTRST
X
L
H
H
MKLD
X
X
L
H
CNTLD
X
X
X
L
CNTINC
X
X
X
X
CNTRD
X
X
X
X
MKRD
X
X
X
X
Mode
Master-
Reset
Reset
Load
Load
Operation
Counter/Address Register Reset and Mask Register
Set (resets chip as per reset state definition)
Counter/Address Register Reset
Load of Address Lines into Mask Register
Load of Address Lines into Counter/Address
Register
↑
H
H
H
H
L
X
X
Increment Counter Increment
↑
↑
↑
H
H
H
X
X
H
X
X
H (3)
X
X
H
X
X
H
L
H
X
X
L
X
Read-
back
Read-
back
Hold
Readback Counter on Address Lines
Readback Mask Register on Address Lines
Counter Hold
5649 tbl 05
NOTES:
1. "X" = "don't care", "H" = V IH , "L" = V IL .
2. Counter operation and mask register operation is independent of Chip Enable.
3.
MKLD = V IL will also hold the counter. Please refer to Truth Table II.
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage (1)
Recommended DC Operating
Conditions
Ambient
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Grade
Temperature
GND
V DD
Commercial
Industrial
NOTES:
0 O C to +70 O C
-40 O C to +85 O C
0V
0V
3.3V + 150mV
3.3V + 150mV
5649 tbl 06
V DD
V SS
V IH
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
(Address, Control & I/O Inputs)
3.15
0
2.0
3.3
0
____
3.45
0
V DD + 150mV
(2)
V
V
V
1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.
V IL
Input Low Voltage
-0.3 (1)
____
0.8
V
NOTES:
5649 tbl 07
1. Undershoot of V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns is allowed.
2. V TERM must not exceed V DD + 150mV.
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