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参数资料
| 型号： | IDT71V632ZS5PFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 18/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2MBIT 5NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 2M（64K x 32） |
| 速度： | 5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.63 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
IDT71V632, 64K x 32, 3.3V Synchronous SRAM
with Pipelined Outputs and Single Cycle Deselect
Ordering Information
Commercial and Industrial Temperature Ranges
71V632
Device
Z
S
Power
X
Speed
PF
Package
X
X
Process/
Type
Tempera-
ture Range
Blank
I
G
PF
A4*
5
6
7
Blank
Z
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (–40°C to +85°C)
Restricted hazardous substance device
Plastic Thin Quad Flatpack, 100 pin (PK100-1)
Synchronous Access Time in nanoseconds
First or current generation die step.
Current generation die step optional.
* Commercial only.
PART NUMBER
71V632SA4PF
71V632S5PF
71V632S6PF
71V632S7PF
SPEED IN MEGAHERTZ
117 MHz
100 MHz
83 MHz
66 MHz
t CD PARAMETER
4.5 ns
5 ns
6 ns
7 ns
CLOCK CYCLE TIME
8.5 ns
10 ns
12 ns
15 ns
3619 drw 13
18
6.42
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