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参数资料
| 型号： | IDT71V632ZS5PFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2MBIT 5NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 2M（64K x 32） |
| 速度： | 5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.63 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
IDT71V632, 64K x 32, 3.3V Synchronous SRAM
with Pipelined Outputs and Single Cycle Deselect
Functional Block Diagram
LBO
ADV
Commercial and Industrial Temperature Ranges
INTERNAL
CE
Burst
Sequence
ADDRESS
CLK
ADSC
ADSP
Binary
Counter
CLR
2
Burst
Logic
Q0
Q1
A 0 *
A 1 *
16
64K x 32
BIT
MEMORY
ARRAY
.
A 0 –A 15
GW
CLK EN
ADDRESS
REGISTER
16
2
A 0 , A 1
A 2 –A 15
32
32
BWE
Byte 1
Write Register
Byte 1
BW 1
BW 2
Byte 2
Write Register
8
8
Write Driver
Byte 2
Write Driver
Byte 3
BW 3
Write Register
8
Byte 3
Write Driver
BW 4
Byte 4
Write Register
8
Byte 4
Write Driver
OUTPUT
REGISTER
CE
D
CS0
CS 1
Q
Enable
Register
CLK EN
DATA INPUT
REGISTER
ZZ
Powerdown
D
Q
Enable
Delay
Register
OE
OE
OUTPUT
BUFFER
32
I/O 0 –I/O 31
3619 drw 01
3
6.42
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PDF描述 |
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