参数资料
型号: IDT71V632ZS5PFG
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
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描述: IC SRAM 2MBIT 5NS 100TQFP
标准包装: 72
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步
存储容量: 2M(64K x 32)
速度: 5ns
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.63 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x20)
包装: 托盘

IDT71V632, 64K x 32, 3.3V Synchronous SRAM
with Pipelined Outputs and Single Cycle Deselect
Pin Definitions (1)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
S y m b o l
A 0 – A 1 5
P i n F u n c t i o n
A d d r e s s I n p u t s
I / O
I
A c t i v e
N / A
D e s c r i p t i o n
S y n c h r o n o u s A d d r e s s i n p u t s . T h e a d d r e s s r e g i s t e r i s t r i g g e r e d b y a c o m b i n a t i o n
o f t h e r i s i n g e d g e o f C L K a n d A D S C L o w o r A D S P L o w a n d C E L o w .
A D S C
A d d r e s s S t a t u s
I
L O W
S y n c h r o n o u s A d d r e s s S t a t u s f r o m C a c h e C o n t r o l l e r . A D S C i s a n a c t i v e L O W
( C a c h e C o n t r o l l e r )
i n p u t t h a t i s u s e d t o l o a d t h e a d d r e s s r e g i s t e r s w i t h n e w a d d r e s s e s . A D S C i s
N O T G A T E D b y C E .
A D S P
A D V
A d d r e s s S t a t u s
( P r o c e s s o r )
B u r s t A d d r e s s A d v a n c e
I
I
L O W
L O W
S y n c h r o n o u s A d d r e s s S t a t u s f r o m P r o c e s s o r . A D S P i s a n a c t i v e L O W i n p u t t h a t
i s u s e d t o l o a d t h e a d d r e s s r e g i s t e r s w i t h n e w a d d r e s s e s . A D S P i s g a t e d b y
C E .
S y n c h r o n o u s A d d r e s s A d v a n c e . A D V i s a n a c t i v e L O W i n p u t t h a t i s u s e d t o
a d v a n c e t h e i n t e r n a l b u r s t c o u n t e r , c o n t r o l l i n g b u r s t a c c e s s a f t e r t h e i n i t i a l
a d d r e s s i s l o a d e d . W h e n t h i s i n p u t i s H I G H t h e b u r s t c o u n t e r i s n o t i n c r e m e n t e d ;
t h a t i s , t h e r e i s n o a d d r e s s a d v a n c e .
B W E
B y t e W r i t e E n a b l e
I
L O W
S y n c h r o n o u s b y t e w r i t e e n a b l e g a t e s t h e b y t e w r i t e i n p u t s B W 1 – B W 4 . I f B W E i s
L O W a t t h e r i s i n g e d g e o f C L K t h e n B W X i n p u t s a r e p a s s e d t o t h e n e x t s t a g e i n
t h e c i r c u i t . A b y t e w r i t e c a n s t i l l b e b l o c k e d i f A D S P i s L O W a t t h e r i s i n g e d g e o f
C L K . I f A D S P i s H I G H a n d B W X i s L O W a t t h e r i s i n g e d g e o f C L K t h e n d a t a w i l l
b e w r i t t e n t o t h e S R A M . I f B W E i s H I G H t h e n t h e b y t e w r i t e i n p u t s a r e b l o c k e d
a n d o n l y G W c a n i n i t i a t e a w r i t e c y c l e .
B W 1 – B W 4
I n d i v i d u a l B y t e
W r i t e E n a b l e s
I
L O W
S y n c h r o n o u s b y t e w r i t e e n a b l e s . B W 1 c o n t r o l s I / O ( 7 : 0 ) , B W 2 c o n t r o l s I / O ( 1 5 : 8 ) ,
e t c . A n y a c t i v e b y t e w r i t e c a u s e s a l l o u t p u t s t o b e d i s a b l e d . A D S P L O W
d i s a b l e s a l l b y t e w r i t e s . B W 1 – B W 4 m u s t m e e t s p e c i f i e d s e t u p a n d h o l d t i m e s
w i t h r e s p e c t t o C L K .
C E
C h i p E n a b l e
I
L O W
S y n c h r o n o u s c h i p e n a b l e . C E i s u s e d w i t h C S 0 a n d C S 1 t o e n a b l e t h e
I D T 7 1 V 6 3 2 . C E a l s o g a t e s A D S P .
C L K
C l o c k
I
N / A
T h i s i s t h e c l o c k i n p u t . A l l t i m i n g r e f e r e n c e s f o r t h e d e v i c e a r e m a d e w i t h r e s p e c t
t o t h i s i n p u t .
C S 0
C h i p S e l e c t 0
I
H I G H
S y n c h r o n o u s a c t i v e H I G H c h i p s e l e c t . C S 0 i s u s e d w i t h C E a n d C S 1 t o e n a b l e
t h e c h i p .
C S 1
C h i p S e l e c t 1
I
L O W
S y n c h r o n o u s a c t i v e L O W c h i p s e l e c t . C S 1 i s u s e d w i t h C E a n d C S 0 t o e n a b l e
t h e c h i p .
G W
G l o b a l W r i t e E n a b l e
I
L O W
S y n c h r o n o u s g l o b a l w r i t e e n a b l e . T h i s i n p u t w i l l w r i t e a l l f o u r 8 - b i t d a t a b y t e s
w h e n L O W o n t h e r i s i n g e d g e o f C L K . G W s u p e r c e d e s i n d i v i d u a l b y t e w r i t e
e n a b l e s .
I / O 0 – I / O 3 1
D a t a I n p u t / O u t p u t
I / O
N / A
S y n c h r o n o u s d a t a i n p u t / o u t p u t ( I / O ) p i n s . B o t h t h e d a t a i n p u t p a t h a n d d a t a o u t p u t
p a t h a r e r e g i s t e r e d a n d t r i g g e r e d b y t h e r i s i n g e d g e o f C L K .
L B O
L i n e a r B u r s t O r d e r
I
L O W
A s y n c h r o n o u s b u r s t o r d e r s e l e c t i o n D C i n p u t . W h e n L B O i s H I G H t h e I n t e r l e a v e d
( I n t e l ) b u r s t s e q u e n c e i s s e l e c t e d . W h e n L B O i s L O W t h e L i n e a r ( P o w e r P C ) b u r s t
s e q u e n c e i s s e l e c t e d . L B O i s a s t a t i c D C i n p u t a n d m u s t n o t c h a n g e s t a t e w h i l e
t h e d e v i c e i s o p e r a t i n g .
O E
O u t p u t E n a b l e
I
L O W
A s y n c h r o n o u s o u t p u t e n a b l e . W h e n O E i s L O W t h e d a t a o u t p u t d r i v e r s a r e
e n a b l e d o n t h e I / O p i n s i f t h e c h i p i s a l s o s e l e c t e d . W h e n O E i s H I G H t h e I / O
p i n s a r e i n a h i g h - i m p e d e n c e s t a t e .
V D D
V D D Q
V S S
V S S Q
N C
Z Z
P o w e r S u p p l y
P o w e r S u p p l y
G r o u n d
G r o u n d
N o C o n n e c t
S l e e p M o d e
N / A
N / A
N / A
N / A
N / A
I
N / A
N / A
N / A
N / A
N / A
H I G H
3 . 3 V c o r e p o w e r s u p p l y i n p u t s .
3 . 3 V I / O p o w e r s u p p l y i n p u t s .
C o r e g r o u n d p i n s .
I / O g r o u n d p i n s .
N C p i n s a r e n o t e l e c t r i c a l l y c o n n e c t e d t o t h e c h i p .
A s y n c h r o n o u s s l e e p m o d e i n p u t . Z Z H I G H w i l l g a t e t h e C L K i n t e r n a l l y a n d p o w e r
d o w n t h e I D T 7 1 V 6 3 2 t o i t s l o w e s t p o w e r c o n s u m p t i o n l e v e l . D a t a r e t e n t i o n i s
g u a r a n t e e d i n S l e e p M o d e .
NOTE:
1. All synchronous inputs must meet specified setup and hold times with respect to CLK.
6.42
3 6 1 9 t b l 0 2
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IDT71V65602S100BQ 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040