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参数资料
| 型号： | IDT71V632ZS5PFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2MBIT 5NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 2M（64K x 32） |
| 速度： | 5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.63 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
IDT71V632, 64K x 32, 3.3V Synchronous SRAM
with Pipelined Outputs and Single Cycle Deselect
Absolute Maximum Ratings (1)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
S y m b o l
R a t i n g
V a l u e
U n i t
V T E R M
( 2 )
T e r m i n a l V o l t a g e w i t h
– 0 . 5 t o + 4 . 6
V
G r a d e
T e m p e r a t u r e
V S S
V D D
V D D Q
R e s p e c t t o G N D
C o m m e r c i a l
0 ° C t o + 7 0 ° C
0 V
3 . 3 V + 1 0 / - 5 % 3 . 3 V + 1 0 / - 5 %
V T E R M ( 3 )
T e r m i n a l V o l t a g e w i t h
– 0 . 5 t o V D D + 0 . 5
V
I n d u s t r i a l
– 4 0 ° C t o + 8 5 ° C
0 V
3 . 3 V + 1 0 / - 5 % 3 . 3 V + 1 0 / - 5 %
R e s p e c t t o G N D
3 6 1 9 t b l 0 3
T A
O p e r a t i n g T e m p e r a t u r e
0 t o + 7 0
o
C
C
C
T B I A S
T S T G
P T
T e m p e r a t u r e U n d e r B i a s
S t o r a g e T e m p e r a t u r e
P o w e r D i s s i p a t i o n
– 5 5 t o + 1 2 5
– 5 5 t o + 1 2 5
1 . 0
o
o
W
Recommended DC Operating
Conditions
I O U T
NOTES:
D C O u t p u t C u r r e n t
5 0
m A
3 6 1 9 t b l 0 5
S y m b o l
V D D
P a r a m e t e r
C o r e S u p p l y V o l t a g e
M i n .
3 . 1 3 5
M a x .
3 . 6 3
U n i t
V
5 . 0
V D D Q + 0 . 3
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V DD , V DDQ and Input terminals only.
3. I/O terminals.
V D D Q
V S S , V S S Q
V I H
V I H
V I L
I / O S u p p l y V o l t a g e
G r o u n d
I n p u t H i g h V o l t a g e — I n p u t s
I n p u t H i g h V o l t a g e — I / O
I n p u t L o w V o l t a g e
3 . 1 3 5
0
2 . 0
2 . 0
– 0 . 3 ( 3 )
3 . 6 3
0
( 1 )
0 . 8
( 2 )
V
V
V
V
V
3 6 1 9 t b l 0 4
NOTES:
Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz, TQFP package)
1. V IH (max) = 6.0V for pulse width less than t CYC /2, once per cycle.
2. V IH (max) = V DDQ + 1.0V for pulse width less than t CYC /2, once per cycle.
3. V IL (min) = –1.0V for pulse width less than t CYC /2, once per cycle.
S y m b o l
C I N
C I / O
P a r a m e t e r ( 1 )
I n p u t C a p a c i t a n c e
I / O C a p a c i t a n c e
C o n d i t i o n s
V I N = 3 d V
V O U T = 3 d V
M a x .
6
7
U n i t
p F
p F
3 6 1 9 t b l 0 6
NOTE:
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production
tested.
6.42
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