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参数资料
| 型号： | IDT71V632ZS5PFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2MBIT 5NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 2M（64K x 32） |
| 速度： | 5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.63 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
IDT71V632, 64K x 32, 3.3V Synchronous SRAM
with Pipelined Outputs and Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics
(V DD, V DDQ = 3.3V +10/-5%, Commercial and Industrial Temperature Ranges)
7 1 V 6 3 2 S A 4 ( 5 , 6 )
7 1 V 6 3 2 S 5
7 1 V 6 3 2 S 6
7 1 V 6 3 2 S 7
S y m b o l
P a r a m e t e r
M i n .
M a x .
M i n .
M a x .
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M a x .
U n i t
C L O C K P A R A M E T E R S
t C Y C
t C H ( 1 )
t C L ( 1 )
C l o c k C y c l e T i m e
C l o c k H i g h P u l s e W i d t h
C l o c k L o w P u l s e W i d t h
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3 . 5
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O U T P U T P A R A M E T E R S
t O L Z
t O H Z
t CD
t C D C
t C L Z ( 2 )
t C H Z ( 2 )
t O E
( 2 )
( 2 )
C l o c k H i g h t o V a l i d D a t a
C l o c k H i g h t o D a t a C h a n g e
C l o c k H i g h t o O u t p u t A c t i v e
C l o c k H i g h t o D a t a H i g h - Z
O u t p u t E n a b l e A c c e s s T i m e
O u t p u t E n a b l e L o w t o D a t a A c t i v e
O u t p u t E n a b l e H i g h t o D a t a H i g h - Z
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0
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S E T U P T I M E S
t S A
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t S D
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t S A V
t S C
A d d r e s s S e t u p T i m e
A d d r e s s S t a t u s S e t u p T i m e
D a t a i n S e t u p T i m e
W r i t e S e t u p T i m e
A d d r e s s A d v a n c e S e t u p T i m e
C h i p E n a b l e / S e l e c t S e t u p T i m e
2 . 2
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H O L D T I M E S
t H A
t H S
t H D
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t H A V
t H C
A d d r e s s H o l d T i m e
A d d r e s s S t a t u s H o l d T i m e
D a t a I n H o l d T i m e
W r i t e H o l d T i m e
A d d r e s s A d v a n c e H o l d T i m e
C h i p E n a b l e / S e l e c t H o l d T i m e
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S L E E P M O D E A N D C O N F I G U R A T I O N P A R A M E T E R S
t C F G
t ZZPW
t Z Z R ( 3 )
( 4 )
Z Z P u l s e W i d t h
Z Z R e c o v e r y T i m e
C o n f i g u r a t i o n S e t - u p T i m e
1 0 0
1 0 0
3 4
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1 0 0
1 0 0
4 0
—
—
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5 0
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n s
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NOTES:
1. Measured as HIGH above 2.0V and LOW below 0.8V.
2. Transition is measured ±200mV from steady-state.
3. Device must be deselected when powered-up from sleep mode.
4. t CFG is the minimum time required to configure the device based on the LBO input. LBO is a static input and must not change during normal operation.
5. The 71V632SA4 speed grade corresponds to a t CD of 4.5ns.
6. 0°C to +70°C temperature range only.
9
6.42
3 6 1 9 t b l 1 5
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| IDT71V632ZS6PFG | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 6NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V633S11PF | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Single 3.3V 2M-Bit 64K x 32 11ns 100-Pin PQFP |
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| IDT71V65602S100BG8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V65602S100BQ | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
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