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参数资料
| 型号： | IDT71V632ZS5PFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2MBIT 5NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 2M（64K x 32） |
| 速度： | 5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.63 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
IDT71V632, 64K x 32, 3.3V Synchronous SRAM
with Pipelined Outputs and Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating Temperature and
Supply Voltage Range (V DD = 3.3V +10/-5%)
S y m b o l
| I LI |
| I L Z Z |
| I L O |
V O L ( 3 . 3 V )
V O H ( 3 . 3 V )
P a r a m e t e r
I n p u t L e a k a g e C u r r e n t
Z Z a n d L B O I n p u t L e a k a g e C u r r e n t ( 1 )
O u t p u t L e a k a g e C u r r e n t
O u t p u t L o w V o l t a g e
O u t p u t H i g h V o l t a g e
T e s t C o n d i t i o n s
V D D = M a x . , V I N = 0 V t o V D D
V D D = M a x . , V I N = 0 V t o V D D
C E > V I H o r O E > V I H , V O U T = 0 V t o V D D , V D D = M a x .
I O L = 5 m A , V D D = M i n .
I O H = – 5 m A , V D D = M i n .
M i n .
—
—
—
—
2 . 4
M a x .
5
3 0
5
0 . 4
—
U n i t
μ A
μ A
μ A
V
V
NOTE:
3 6 1 9 t b l 1 2
1. The LBO pin will be internally pulled to V DD if it is not actively driven in the application and the ZZ pin will be internally pulled to V SS if not actively driven.
DC Electrical Characteristics Over the Operating Temperature and
Supply Voltage Range (1) (V HD = V DDQ – 0.2V , V LD = 0.2V)
S A 4 ( 3 , 4 )
S 5
S 6
S 7
S y m b o l
I D D
P a r a m e t e r
O p e r a t i n g P o w e r
T e s t C o n d i t i o n s
D e v i c e S e l e c t e d , O u t p u t s O p e n ,
C o m ' l .
2 2 0
I n d .
—
C o m ' l .
2 0 0
I n d .
2 0 0
C o m ' l .
1 8 0
I n d .
1 8 0
C o m ' l .
1 6 0
I n d .
1 6 0
U n i t
m A
S u p p l y C u r r e n t
V D D = M a x . , V I N > V I H o r < V I L ,
f = f M A X ( 2 )
I S B
S t a n d b y P o w e r
D e v i c e D e s e l e c t e d , O u t p u t s O p e n ,
7 0
—
6 5
6 5
6 0
6 0
5 5
5 5
m A
S u p p l y C u r r e n t
V D D = M a x . , V I N > V I H o r < V I L ,
f = f M A X ( 2 )
I S B 1
F u l l S t a n d b y P o w e r
D e v i c e D e s e l e c t e d , O u t p u t s O p e n ,
1 5
—
1 5
1 5
1 5
1 5
1 5
1 5
m A
S u p p l y C u r r e n t
V D D = M a x . , V I N > V H D o r < V L D ,
f = 0 ( 2 )
I Z Z
F u l l S l e e p M o d e
Z Z > V H D , V D D = M a x .
1 0
—
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
m A
P o w e r S u p p l y C u r r e n t
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. At f = f MAX, inputs are cycling at the maximum frequency of read cycles of 1/t CYC while ADSC = LOW; f=0 means no input lines are changing.
3. SA4 speed grade corresponds to a t CD of 4.5 ns.
4. 0°C to +70°C temperature range only.
3 6 1 9 t b l 1 3
AC Test Loads
Z 0 = 50 Ω
I/O
V DDQ /2
50 Ω
I/O
351 Ω
+3.3V
317 Ω
5pF*
6
5
4
Figure 1. AC Test Load
3619 drw 03
3619 drw 04
* Including scope and jig capacitance.
Figure 2. High-Impedence Test Load
(for t OHZ , t CHZ , t OLZ , and t DC1)
Δ t CD
(Typical, ns)
3
2
1
AC Test Conditions
I n p u t P u l s e L e v e l s
I n p u t R i s e / F a l l T i m e s
0 t o 3 . 0 V
2 n s
20 30 50
80 100
Capacitance (pF)
200
3619 drw 05
I n p u t T i m i n g R e f e r e n c e L e v e l s
O u t p u t T i m i n g R e f e r e n c e L e v e l s
1 . 5 V
1 . 5 V
Figure 3. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
A C T e s t L o a d
S e e F i g u r e s 1 a n d 2
3 6 1 9 t b l 1 4
8
6.42
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