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参数资料
| 型号： | IDT71V65903S80B |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119 |
| 封装： | 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-026AA, BGA-119 |
| 文件页数： | 13/26页 |
| 文件大小： | 972K |
| 代理商： | IDT71V65903S80B |
6.42
20
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of CEN Operation(1,2,3,4)
NOTES:
1.
Q
(A
1)
represents
the
first
output
from
the
external
address
A
1.
D
(A
2)
represents
the
input
data
to
the
SRAM
corresponding
to
address
A
2.
2.
CE
2timing
transitions
are
identical
but
inverted
to
the
CE
1and
CE
2
signals.
For
example,
when
CE
1and
CE
2are
LOW
on
this
waveform,
CE
2is
HIGH.
3.
CEN
when
sampled
high
on
the
rising
edge
of
clock
will
block
that
L-H
transition
of
the
clock
from
propogating
into
the
SRAM.
The
part
will
behave
as
if
the
L-H
clock
transition
did
not
occur.
All
internal
registers
in
the
SRAM
will
retain
their
previous
state.
4.
Individual
Byte
Write
signals
(
BW
x)
must
be
valid
on
all
write
and
burst-write
cycles.
A
write
cycle
is
initiated
when
R/
W
signal
is
sampled
LOW.
The
byte
write
information
comes
in
one
cycle
before
the
actual
data
is
presented
to
the
SRAM.
tH
E
tS
E
R
/W
A
1
A
2
C
L
K
C
E
N
A
D
V
/L
D
A
D
R
E
S
C
E
1
,
C
E
2
(2
)
B
W
1
-
B
W
4
O
E
D
A
T
A
O
U
T
Q
(A
1
)
tC
D
C
Q
(A
3)
tC
D
tC
LZ
Q
(A
1
)
Q
(A
4
)
tC
D
tC
D
C
tC
H
Z
D
(A
2
)
tS
D
tH
D
tC
H
tC
L
tC
Y
C
tH
C
tS
C
A
4
A
5
tH
A
D
V
tS
A
D
V
tH
W
tS
W
tH
A
tS
A
3
tH
B
tS
B
D
A
T
A
IN
52
9
8
dr
w
09
B
(A
2
)
,
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7210L25PQF | 16-BIT, DSP-MULTIPLIER ACCUMULATOR/SUMMER, PQFP64 |
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| 7200L20TDB | 256 X 9 OTHER FIFO, 20 ns, CDIP28 |
| IDT7281L25TPI | 512 X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDIP28 |
| IDT7284L20PAI | 4K X 9 BI-DIRECTIONAL FIFO, 20 ns, PDSO56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IDT71V65903S80BGI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT71V65903S80BGI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V65903S80BQ | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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