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参数资料
| 型号： | IDT71V65903S80B |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119 |
| 封装： | 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-026AA, BGA-119 |
| 文件页数： | 2/26页 |
| 文件大小： | 972K |
| 代理商： | IDT71V65903S80B |
6.42
10
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Functional Timing Diagram(1)
Linear Burst Sequence Table (LBO=VSS)
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state and continues counting.
NOTES:
1. This assumes
CEN, CE1, CE2 and CE2 are all true.
2. All Address, Control and Data_In are only required to meet set-up and hold time with respect to the rising edge of clock. Data_Out is valid after a clock-to-data
delay from the rising edge of clock.
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
First Address
000
11
0
1
Second Address
0
1
0
1
0
Third Address
1
0
1
0
1
Fourth Address(1)
11
00
0
1
0
5298 tbl 11
n+29
A29
C29
D/Q28
ADDRESS
(A0 -A17)
CONTROL
(R/
W,ADV/LD, BWx)
DATA
I/O [0:31], I/O P[1:4]
CYCLE
CLOCK
n+30
A30
C30
D/Q29
n+31
A31
C31
D/Q30
n+32
A32
C32
D/Q31
n+33
A33
C33
D/Q32
n+34
A34
C34
D/Q33
n+35
A35
C35
D/Q34
n+36
A36
C36
D/Q35
n+37
A37
C37
D/Q36
5298 drw 03
(2)
,
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7210L25PQF | 16-BIT, DSP-MULTIPLIER ACCUMULATOR/SUMMER, PQFP64 |
| IDT7281L25SOI | 512 X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDSO28 |
| 7200L20TDB | 256 X 9 OTHER FIFO, 20 ns, CDIP28 |
| IDT7281L25TPI | 512 X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDIP28 |
| IDT7284L20PAI | 4K X 9 BI-DIRECTIONAL FIFO, 20 ns, PDSO56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT71V65903S80BG8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V65903S80BGI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT71V65903S80BGI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V65903S80BQ | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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