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参数资料
| 型号： | IDT71V65903S80B |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119 |
| 封装： | 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-026AA, BGA-119 |
| 文件页数： | 18/26页 |
| 文件大小： | 972K |
| 代理商： | IDT71V65903S80B |
6.42
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
25
Timing Waveform of OE Operation(1)
NOTE:
1. A read operation is assumed to be in progress.
Ordering Information
OE
DATAOUT
tOHZ
tOLZ
tOE
Q
5298 drw 11
Q
,
100-pin Plastic Thin Quad Flatpack (TQFP)
119 Ball Grid Array (BGA)
165 Fine Pitch Ball Grid Array (fBGA)
S
Power
XX
Speed
XX
Package
PF
BG
BQ
IDT
XXXX
75
80
85
Access time (tCD)intenthsofnanoseconds
5298 drw 12
Device
Type
IDT71V65703
IDT71V65903
256Kx36 Flow-Through ZBT SRAM
512Kx18 Flow-Through ZBT SRAM
,
X
Process/
Temperature Range
Blank
I
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IDT7281L25TPI | 512 X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDIP28 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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