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参数资料
| 型号： | IPB80N04S2L-03 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢功率晶体管 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 163K |
| 代理商： | IPB80N04S2L-03 |
IPB80N04S2L-03
IPP80N04S2L-03
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on-state resistance
I
D
= f(
V
DS
);
T
j
= 25 °C
R
DS(on)
= (
I
D
);
T
j
= 25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. Forward transconductance
I
D
= f(
V
GS
);
V
DS
= 6V
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
= 25°C
parameter:
T
j
parameter:
g
fs
2.5 V
3 V
3.5 V
4 V
0
50
100
150
200
250
300
0
2
4
6
8
10
V
DS
[V]
I
D
-55 °C
25 °C
175 °C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1
2
3
4
V
GS
[V]
I
D
0
50
100
150
200
250
300
0
50
100
I
D
[A]
150
200
g
f
3.5 V
4 V
4.5 V
10 V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
20
40
60
80
100
120
I
D
[A]
R
D
]
Rev. 1.0
page 5
2006-03-02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB80N06S3L-06 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPB80N06S3L-08 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPB80N08S2-07 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB80N08S2L-07 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB80P03P3L-04 | OptiMOS-P Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB80N04S2L03ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 |
| IPB80N04S303 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB80N04S3-03 | 功能描述:MOSFET OPTIMOS-T PWR-TRANS N-CH 40V 80A 3.2mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB80N04S303ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 |
| IPB80N04S304 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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