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参数资料
| 型号： | IPB80N04S2L-03 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢功率晶体管 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 163K |
| 代理商： | IPB80N04S2L-03 |
IPB80N04S2L-03
IPP80N04S2L-03
9 Typ. Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(ON)
= f(
T
j
)
V
GS(th)
= f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
= 80 A; V
GS
= 10 V
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Typical forward diode characteristicis
C
= f(
V
DS
);
V
GS
= 0 V;
f
= 1 MHz
IF = f(V
SD
)
parameter:
T
j
25 °C
175 °C
10
3
10
2
10
1
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
[V]
I
F
Ciss
Coss
Crss
10
4
10
3
10
2
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
[V]
C
250μA
1250μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
1
2
3
4
5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
]
Rev. 1.0
page 6
2006-03-02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB80N06S3L-06 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPB80N06S3L-08 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPB80N08S2-07 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB80N08S2L-07 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB80P03P3L-04 | OptiMOS-P Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB80N04S2L03ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 |
| IPB80N04S303 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB80N04S3-03 | 功能描述:MOSFET OPTIMOS-T PWR-TRANS N-CH 40V 80A 3.2mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB80N04S303ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 |
| IPB80N04S304 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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